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摘要鈣鈦礦太陽能電池 (PSCs) 因其高效率、低成本和可印刷性等優(yōu)點(diǎn)，成為最有希望取代傳統(tǒng)硅基太陽能電池的下一代光伏技術(shù)。近年來，鈣鈦礦太陽能電池 (PSCs)的效率不斷攀升，已突破 25% 的瓶頸，但其長期穩(wěn)定性問題仍然是阻礙其商業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵因素。為了解決這一挑戰(zhàn)，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所的 Ziyi Ge 和 Daobin Yang 研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)合成了三種雙膦酸錨定吲哚咔唑 (IDCz) 衍生自組裝單層 (SAMs)：IDCz-1、IDCz-2 和 IDCz-3，并將其用于制備
-本研究相關(guān)參數(shù)圖表，整理至文末處- 摘要錫基鈣鈦礦太陽能電池 (PSCs) 作為一種具有巨大潛力的無鉛光伏技術(shù)，其發(fā)展受到 p 型自摻雜、高缺陷密度和非輻射複合等因素的限制。近期，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院胡芹特任研究員團(tuán)隊(duì)在《納米快報(bào)》上發(fā)表了一項(xiàng)重要研究成果，他們通過梯度鍺摻雜構(gòu)建了錫基鈣鈦礦同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，有效抑制了自摻雜效應(yīng)，并大幅提升了器件的效率和穩(wěn)定性，為錫基 PSCs 的發(fā)展開闢了新的道路。 光焱科技設(shè)備的應(yīng)用該研究使用了光焱科技 (Enlitech) 的 QE-R_PV/太陽能
-本研究相關(guān)參數(shù)圖表，整理至文末處- 摘要韓國蔚山科學(xué)技術(shù)院 (UNIST) 的 Sang Kyu Kwak 教授和 Changduk Yang 教授團(tuán)隊(duì)在 Science 期刊發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出兩種氟化 Spiro-OMeTAD 異構(gòu)體 (Spiro-mF 和 Spiro-oF) 作為空穴傳輸材料 (HTM)，用于制備高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池 (PSCs)。基于 Spiro-mF 的器件實(shí)現(xiàn)了 24.82% 的高效率 (認(rèn)證效率 24.64%)，電壓損失僅為 0.3 V，并在高濕度環(huán)境
-本研究相關(guān)參數(shù)圖表，整理至文末處- 本研究使用設(shè)備 光焱科技· LQ-50X-高速/高靈敏電致發(fā)光效率測試系統(tǒng) 研究背景近年來，鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光電性能在太陽能電池、發(fā)光二極管、光電探測器等領(lǐng)域備受矚目。PeLED 作為新型顯示技術(shù)，憑借其色純度高、發(fā)射波長可調(diào)、制備成本低等優(yōu)勢，被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)的理想選擇。要實(shí)現(xiàn)全彩顯示，需要紅、綠、藍(lán)三基色 PeLED 的協(xié)同發(fā)展。其中，純紅光 (630-640 nm) 發(fā)射對(duì)于滿足 Rec. 2020 超高清電視標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。目前
摘要FAPbI3憑借其出色的光伏特性，成為鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）光吸收層的理想候選材料。然而，由于競爭性光活性δ相的形成能較低，穩(wěn)定光活性α-FAPbI3仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。 華中科技大學(xué)尤帥、北航張淵和國家納米科學(xué)中心周惠瓊團(tuán)隊(duì)在Nano Letters上發(fā)表的研究成果，采用四乙基三溴化鉛 (TEPPbBr3) 單晶作為PbI2外延生長的模板，成功地穩(wěn)定了α-FAPbI3。TEPPbBr3的策略性使用優(yōu)化了中間體的演化和鈣鈦礦的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)，從而產(chǎn)生高質(zhì)量且相穩(wěn)定的α-FAPbI3薄膜。研究人
【重點(diǎn)啇要】光致鹵素分離會(huì)限制寬禁帶鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。利用溶液后處理形成混合二維/三維異質(zhì)結(jié)構(gòu)是一種典型的改善鈣鈦礦太陽能電池效率和穩(wěn)定性的策略。但是,由于表面重構(gòu)的組成相依性,傳統(tǒng)的溶液后處理對(duì)于缺乏甲銨和富集銫/溴的寬禁帶鈣鈦礦太陽能電池來說并不適用。研究人員開發(fā)了一種通用的三維到二維鈣鈦礦轉(zhuǎn)化方法,在寬禁帶鈣鈦礦層(1.78 eV)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)先生長更高維數(shù)(n ≥ 2)的二維結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)首先通過蒸氣輔助雙步驟沉積程序沉積一層規(guī)則的三維MAPbI3薄層,隨后將其轉(zhuǎn)化為二
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